Spintronics 란 무엇입니까?

Spintronics는 전자의 자기 상태 ( 스핀 )를 사용하여 전하를 사용하지 않고 데이터를 인코딩하고 처리하는 초기 전자 장치입니다. 기술적으로 스핀은 양자 특성으로, 자기와 밀접한 관련이 있지만 정확히 같은 것은 아닙니다. 따라서 Spintronics는 때때로 양자 효과를 이용하는 것으로 간주됩니다. 전자는 자기 방향에 따라 상향 또는 하향 스핀을 가질 수 있습니다. 전기장에 노출 될 때 분극화되는 비전도 체인 강유전성 재료의 자성은 이러한 물체의 많은 전자가 모두 동일한 스핀을 갖기 때문에 존재한다.

자기 전자 공학으로도 알려진 spintronics는 컴퓨팅에 이상적인 메모리 미디어가 될 가능성이 있습니다. 스핀 트로닉 메모리, 또는 MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)은 SRAM (Static RAM)의 속도, DRAM의 밀도 (Dynamic RAM) 및 비 휘발성의 플래시 메모리를 달성 할 가능성이 있다고 주장되었다. 비 휘발성 은 전원이 꺼질 때 데이터가 여전히 인코딩됨을 의미합니다. 스핀 트로닉스는 또한 양자 컴퓨팅 방향으로의 단계라고 불렸다.

비 휘발성으로 인해 MRAM 또는 기타 스핀 트로닉스는 언젠가 컴퓨터에서 매우 편리한 메모리, 저장 장치 및 배터리를 만드는 데 사용될 수 있습니다. 이 기술은 또한 작고 빠르며 전력 소비가 적은 전자 장치를 만드는 데 사용될 수 있습니다. MRAM 장치는 2010 년까지 상용화 될 것으로 예상되며 다른 spintronics 장치는 10 대 초에 이어질 것으로 예상됩니다.

spintronics에서 가장 널리 인정 된 혁신은 현재 대부분의 하드 드라이브의 판독 헤드에 사용되는 기술인 GMR (Giant Magnetoresistance)을 이용하는 것입니다. GMR 및 기타 spintronics를 사용하여 두 자기 판 사이에 끼인 비자 성 물질을 사용하여 매우 작은 자기장을 감지 할 수 있습니다. 이 재료는 플레이트의 자기 방향에 따라 전기 저항이 빠르게 변합니다. GMR은 일반 자기 저항보다 100 배 더 강할 수 있습니다. 때때로 GMR 장치를 스핀 밸브 라고합니다.

관련된 제조 기술이 종래의 실리콘 반도체 제조 기술과 공통점이 많기 때문에 MRAM 기반 장치의 합성이 편리 할 수있다. 전자 / 자기 통합 장치에 대한 제안은 일반적입니다. 2002 년 IBM은 프로토 타입 스토리지 디바이스에서 평방 인치당 1 조 비트의 스토리지 용량을 달성했다고 발표했습니다.

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